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- [1] DEFECTS WITH SEVERAL TRAPPING LEVELS IN SEMICONDUCTORS[J]. PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON SECTION B, 1956, 69 (10): : 1056 - 1059LANDSBERG, PT
CORRECTION
被引：1
作者：
LANDSBERG, PT
机构：
来源：
PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON SECTION B
|
1957年
/
70卷
/
01期
关键词：
D O I：
10.1088/0370-1301/70/1/525
中图分类号：
Q [生物科学];
学科分类号：
07 ;
0710 ;
09 ;
摘要：
引用
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页数：1
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