NEW INFRARED ABSORPTION BANDS IN P-TYPE GERMANIUM

被引：57

作者：

BRIGGS, HB

FLETCHER, RC

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1952年 / 87卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.87.1130

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：1130 / 1131

页数：2

相关论文

共 4 条

[1] OPTICAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTORS .3. INFRA-RED TRANSMISSION OF SILICON
BECKER, M
FAN, HY
[J]. PHYSICAL REVIEW, 1949, 76 (10): : 1531 - 1532
[2] INFRA-RED ABSORPTION IN SILICON
BRIGGS, HB
[J]. PHYSICAL REVIEW, 1950, 77 (05): : 727 - 728
[3] FAN HY, 1951, P READING C SEMICOND, P132
[4] FAR INFRARED TRANSMISSION OF SILICON AND GERMANIUM
LORD, RC
[J]. PHYSICAL REVIEW, 1952, 85 (01): : 140 - 141