NANOMETER SIDEWALL LITHOGRAPHY BY RESIST SILYLATION

被引：10

作者：

VETTIGER, P

BUCHMANN, P

DATWYLER, K

SASSO, G

VANZEGHBROECK, BJ

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1989年 / 7卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1116/1.584452

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1756 / 1759

页数：4

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共 4 条

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