2.0 MU-M CW OPERATION OF GALNASSB-GASB DH LASERS AT 80-K

被引：25

作者：

KANO, H

SUGIYAMA, K

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1980年 / 16卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19800107

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：146 / 147

页数：2

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共 2 条

[1]

Dolginov L. M., 1978, Soviet Journal of Quantum Electronics, V8, DOI 10.1070/QE1978v008n03ABEH010046

[2] LIQUID-PHASE EPITAXY OF GA1-YINYASXSB1-X QUATERNARY ALLOYS ON GASB [J].

KANO, H ;

MIYAZAWA, S ;

SUGIYAMA, K .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1979, 18 (11) :2183-2184