1-MIL2 SINGLE-TRANSISTOR MEMORY CELL IN N SILICON-GATE TECHNOLOGY

被引：16

作者：

STEIN, K ^{[1
]}

FRIEDRICH, H ^{[1
]}

机构：

[1] SIEMENS AG, RES LABS, MUNICH, WEST GERMANY

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1973.1050410

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：319 / 323

页数：5

共 8 条

[1]

BOLL HJ, 1972, ELECTRONICS, V45, P20

[2]

Dennard R. H., 1968, United States Patent, Patent No. [3387286, 3,387,286]

[3]

HOFFMAN WK, 1973, IEEE ISSCC, P64

[4]

LAMBRECHTSE CW, 1973, ISSCC DIG TECH P FEB, P194

[5]

LAMBRECHTSE CW, 1973, ISSCC DIG TECH P FEB, P26

[6]

PROEBSTING R, 1973, ISSCC DIG TECH P FEB, P28

STEIN, KU ;

SIHLING, A ;

DOERING, E .

[8]

YU HN, 1973, ISSCC DIG TECH P FEB, P98