EFFECTS OF NONUNIFORM DOPING ON GENERATION-LIFETIME MEASUREMENT IN MOS CAPACITORS

被引：2

作者：

CALZOLARI, PU ^{[1
]}

GRAFFI, S ^{[1
]}

MORANDI, C ^{[1
]}

机构：

[1] FAC INGN, IST ELETTR, BOLOGNA 40136, ITALY

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19730198

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：2

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