SOME PHYSICAL PROPERTIES OF SI-SI3N4 INTERFACES AND SILICON NITRIDE THIN FILMS PREPARED BY REACTIVE SPUTTERING IN NITROGEN

被引：4

作者：

CERVENAK, J

ALEKSANDROV, LN

LOVJAGIN, RN

KRIVOROTOV, EA

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1969年 / 6卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1116/1.1492729

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：938 / +

页数：1

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共 5 条

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