EPITAXIAL GROWTH OF SB2TE3 FILMS

被引：6

作者：

GADGIL, LH

GOSWAMI, A

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1969年 / 6卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1116/1.1315692

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：591 / &

共 9 条

DONGES, E .

ZEITSCHRIFT FUR ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE, 1951, 265 (1-3) :56-61

FRANCOMBE, MH .

PHILOSOPHICAL MAGAZINE, 1964, 10 (108) :989-&

[3]

FRANCOMBE MH, 1962, 5 INT C EL MICR PHIL, V1, pDD8

[4]

GUNTHER KG, 1963, Z NATURFORSCH A, V13, P1082

[5]

HOLLAND L, 1956, VACUUM DEPOSITION TH

[6] SPUTTERED III-V INTERMETALLIC FILMS [J].

MOULTON, C .

[7]

MULLER EK, 1963, ELECTROCHEM SOC, V110, P969

[8]

RICHARDS JL, 1964, SINGLE CRYSTAL FILMS, P241

[9]

SEMILETOV SA, 1956, KRISTALLOGRAFIYA, V0001