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WAVELENGTH UNIFORMITY OF 1.3-MU-M GAINASP-INP DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR LASERS WITH HYBRID BEAM VAPOR EPITAXIAL-GROWTH
被引:12
作者
:
KOCH, TL
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机构:
AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
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KOCH, TL
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CORVINI, PJ
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TSANG, WT
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机构
:
[1]
AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1988年
/ 24卷
/ 13期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19880560
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:822 / 824
页数:3
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HENRY CH, 1987, IEEE J QUANTUM ELECT, V21, P1887
[2]
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ELECTRONICS LETTERS,
1988,
24
(03)
:138
-140
[3]
HIGH-QUALITY NARROW GAINAS/INP QUANTUM-WELLS GROWN BY ATMOSPHERIC ORGANOMETALLIC VAPOR-PHASE EPITAXY
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
1986,
49
(20)
:1384
-1386
[4]
CHEMICAL BEAM EPITAXY OF INP AND GAAS
[J].
TSANG, WT
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
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HENRY CH, 1987, IEEE J QUANTUM ELECT, V21, P1887
[2]
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[J].
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.
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