GAMMA RAY IRRADIATION EFFECT ON THERMALLY OXIDIZED SI P-N JUNCTION

被引：3

作者：

EDAGAWA, H

ISHIKAWA, H

MORITA, Y

机构：

来源：

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN | 1962年 / 17卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.17.1521

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1521 / &

相关论文

共 3 条

[1] N TYPE CONVERSION OF THERMALLY OXIDIZED SI SURFACE
EDAGAWA, H
MAEKAWA, S
MORITA, Y
INUISHI, Y
[J]. JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 1962, 17 (07) : 1190 - &
[2] EDAGAWA H, TO BE PUBLISHED
[3] 1-F NOISE AND CHANNEL IN GE-PN JUNCTION
KOMATSUBARA, K
INUISHI, Y
EDAGAWA, H
SHIBAIKE, T
[J]. JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 1960, 15 (09) : 1713 - 1714