EFFECTS OF GAMMA RADIATION ON GUNN DIODES

被引：3

作者：

BREHM, GE

PEARSON, GL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1970.17012

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：475 / &

共 4 条

[1] RADIATION EFFECTS IN GAAS [J].

AUKERMAN, LW ;

GRAFT, RD ;

DAVIS, PW ;

SHILLIDAY, TS .

[2]

COPELAND JA, 1967, IEEE T ELECTRON DEVI, VED14, P55

STEIN, HJ .

[4] TRANSPORT PROPERTIES IN SILICON AND GALLIUM ARSENIDE [J].

WILLARDSON, RK .