REDUCTION OF SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS BY SURFACE OXIDATION OF GAAS AND ITS INFLUENCE ON DLTS SIGNALS FOR THE MIDGAP LEVEL EL2

被引：44

作者：

HASEGAWA, F

ONOMURA, M

MOGI, C

NANNICHI, Y

机构：

[1] Univ of Tsukuba, Tsukuba, Jpn, Univ of Tsukuba, Tsukuba, Jpn

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1988年 / 31卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(88)90131-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

14

引用

收藏

页码：223 / 228

页数：6

相关论文

empty

未找到相关数据