DISLOCATIONS IN SILICON CARBIDE CRYSTALS - INTERFEROMETRIC AND X-RAY STUDY OF POLYTYPISM

被引：32

作者：

VERMA, AR

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE ROYAL SOCIETY OF LONDON SERIES A-MATHEMATICAL AND PHYSICAL SCIENCES | 1957年 / 240卷 / 1223期

关键词：

D O I：

10.1098/rspa.1957.0100

中图分类号：

O [数理科学和化学]; P [天文学、地球科学]; Q [生物科学]; N [自然科学总论];

学科分类号：

07 ; 0710 ; 09 ;

摘要：

引用

页码：462 / &

共 19 条

[1]

AMELINCKX S, 1953, CR HEBD ACAD SCI, V237, P1726

[2]

Baumhauer H, 1915, Z KRYSTALLOGR MINERA, V55, P249

[3]

BUCK DC, 1955, AM MINERAL, V40, P192

[4] MACROSCOPIC SPIRALS AND THE DISLOCATION THEORY OF CRYSTAL GROWTH [J].

CABRERA, N .

[5]

FRANK FC, 1951, PHIL MAG, V42, P1004

[6] SILICON CARBIDE OF 594 LAYERS [J].

HONJO, G ;

MIYAKE, S ;

TOMITA, T .

ACTA CRYSTALLOGRAPHICA, 1950, 3 (05) :396-&

[7]

JAGODZINSKI H, 1954, NEUES JAHRB MINERAL, V3, P49

[8] STUDIES ON A GROUP OF SILICON CARBIDE STRUCTURES [J].

MITCHELL, RS .

[9]

RAMSDELL LS, 1947, AM MINERAL, V32, P64

[10] DEVELOPMENTS IN SILICON CARBIDE RESEARCH [J].

RAMSDELL, LS ;

KOHN, JA .

ACTA CRYSTALLOGRAPHICA, 1952, 5 (02) :215-224