THERMAL OSCILLATOR USING THERMOELECTRIC (SEEBECK) EFFECT IN SILICON

被引：8

作者：

BOSCH, G

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1972年 / 15卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(72)90019-6

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：849 / &

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[1]

CARLSLOW, CONDUCTION HEAT SOLI, pCH7

[2]

CARLSLOW, CONDUCTION HEAT SOLI, pCH4

[3]

CARLSLOW, CONDUCTION HEAT SOLI, pCH9

[4]

HAMILTON DJ, 1970, IEEE INT SOLID STATE

[5]

KLEMENS PG, 1958, SOLID STATE PHYSICS, V2, P46

[6]

RUNYAN, 1965, SILICON SEMICONDUCTO, P213

[7]

RUNYAN, 1965, SILICON SEMICONDUCTO, P185