EFFECTS OF BASE DOPING AND WIDTH ON J-V CHARACTERISTICS OF N+-N-P+ STRUCTURE

被引:12
作者
GRAHAM, ED
HAUSER, JR
机构
关键词
D O I
10.1016/0038-1101(72)90085-8
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:303 / &
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