STRESS GRADIENTS IN SIO2 THIN-FILMS PREPARED BY THERMAL-OXIDATION AND SUBJECTED TO RAPID THERMAL ANNEALING

被引：5

作者：

BJORKMAN, CH

FITCH, JT

LUCOVSKY, G

机构：

来源：

RAPID THERMAL ANNEALING / CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND INTEGRATED PROCESSING | 1989年 / 146卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-146-197

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页数：6