STACKING FAULTS IN SILICON CARBIDE (6H) AS OBSERVED BY MEANS OF TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY

被引：15

作者：

VANLANDUYT, J

AMELINCKX, S

机构：

来源：

MATERIALS RESEARCH BULLETIN | 1971年 / 6卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1016/0025-5408(71)90010-9

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页码：613 / +

页数：1

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共 3 条

[1]

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