半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法和发光装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310037581.1

申请日：

2013-01-31

公开(公告)号：

CN103227259B

公开(公告)日：

2013-07-31

发明(设计)人：

篠原裕直平野健介

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

段承恩;杨光军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-31	公开	公开
2013-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101511727536 IPC(主分类):H01L 33/20 专利申请号:2013100375811 申请日:20130131
2016-01-20	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光元件和发光装置及制造半导体发光元件的方法 [P].

梁钟隣 ;

金泰亨 ;

宋光珉 ;

李承桓 ;

林完泰 ;

韩世俊 ;

洪玄权 ;

皇甫秀珉 .

中国专利 :CN109728135B ,2019-05-07

[2]

半导体发光元件、发光装置及制造半导体发光元件的方法 [P].

山田真嗣 ;

胜野弘 ;

三木聡 ;

杉山直治 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104051582A ,2014-09-17

[3]

半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法 [P].

胜野弘 ;

泽野正和 ;

加贺广持 ;

小池豪 ;

宫部主之 .

中国专利 :CN105810781A ,2016-07-27

[4]

半导体发光元件和半导体发光装置 [P].

村山雅洋 ;

石合善徳 ;

菊地雄一郎 .

中国专利 :CN104300066A ,2015-01-21

[5]

半导体发光元件和半导体发光装置 [P].

中岛三郎 ;

古泽浩太郎 ;

后藤壮谦 .

中国专利 :CN1874018A ,2006-12-06

[6]

半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法 [P].

前田俊秀 ;

大盐祥三 ;

岩间克昭 ;

北原博实 ;

池田忠昭 ;

龟井英德 ;

花田康行 ;

坂上惠 .

中国专利 :CN1633718A ,2005-06-29

[7]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法、半导体发光装置及基板 [P].

神川刚 ;

加藤正明 ;

花本哲也 .

中国专利 :CN104247053B ,2014-12-24

[8]

半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 [P].

酒井光彦 .

中国专利 :CN101322255A ,2008-12-10

[9]

半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 [P].

小鹿优太 ;

门胁嘉孝 .

日本专利 :CN113272974B ,2025-08-05

[10]

半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 [P].

小鹿优太 ;

门胁嘉孝 .

中国专利 :CN113272974A ,2021-08-17

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