一种晶粒密堆积n型纳米金刚石薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810245815.4

申请日：

2018-03-23

公开(公告)号：

CN108660429B

公开(公告)日：

2018-10-16

发明(设计)人：

胡晓君徐辉梅盈爽陈成克樊冬

申请人：

申请人地址：

310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号

IPC主分类号：

C23C1602

IPC分类号：

C23C1627

代理机构：

杭州天正专利事务所有限公司 33201

代理人：

黄美娟;王兵

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/02 申请日:20180323
2018-10-16	公开	公开
2020-06-23	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有晶粒密堆积结构的高迁移率n型纳米金刚石薄膜及其制备方法 [P].

胡晓君 ;

陈成克 ;

徐辉 ;

刘建军 ;

梅盈爽 ;

樊冬 .

中国专利 :CN108660432B ,2018-10-16

[2]

一种密堆积纳米金刚石薄膜及其制备方法 [P].

胡晓君 ;

郑玉浩 ;

唐彬杰 ;

陈成克 ;

李晓 ;

蒋梅燕 ;

鲁少华 .

中国专利 :CN115852331B ,2024-11-01

[3]

一种具有Si-V发光的纳米金刚石薄膜及制备方法 [P].

胡晓君 ;

梅盈爽 .

中国专利 :CN104060237A ,2014-09-24

[4]

一种具有强Si‑V发光的单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法 [P].

胡晓君 ;

仰宗春 .

中国专利 :CN104831253B ,2015-08-12

[5]

一种n型纳米金刚石薄膜及制备方法 [P].

胡晓君 .

中国专利 :CN101717913B ,2010-06-02

[6]

一种高迁移率的n型纳米金刚石薄膜及制备方法 [P].

胡晓君 .

中国专利 :CN103060767B ,2013-04-24

[7]

一种高迁移率n型超薄纳米金刚石薄膜及其制备方法 [P].

胡晓君 ;

刘建军 ;

徐辉 ;

梅盈爽 ;

陈成克 ;

樊冬 .

中国专利 :CN108531883B ,2018-09-14

[8]

一种单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法 [P].

胡晓君 ;

仰宗春 .

中国专利 :CN104762607B ,2015-07-08

[9]

一种纳米金刚石薄膜及其制备方法 [P].

杨彬 ;

雷乐成 ;

李浩 .

中国专利 :CN105755448A ,2016-07-13

[10]

一种提高硼掺杂纳米金刚石薄膜p型导电性能的方法 [P].

胡晓君 ;

徐玲倩 .

中国专利 :CN104862663A ,2015-08-26

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