一种压电衬底结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410026551.9

申请日：

2024-01-09

公开(公告)号：

CN117545337B

公开(公告)日：

2024-04-09

发明(设计)人：

母凤文郭超于佳杨

申请人：

北京青禾晶元半导体科技有限责任公司青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司

申请人地址：

100083 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146

IPC主分类号：

H10N30/00

IPC分类号：

H10N30/05

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

康欢欢

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-09	公开	公开
2024-04-09	授权	授权
2024-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 30/00申请日:20240109
2025-11-21	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):H10N 30/00变更事项:专利权人变更前:北京青禾晶元半导体科技有限责任公司变更后:青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:100083 北京市海淀区花园北路25号小关(厂南区)4号楼1层146变更后:300451 天津市滨海新区天津滨海高新区塘沽海洋科技园新北路4668号创新创业园22-A号厂房二层C角变更事项:专利权人变更前:青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司变更后:青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国

共 50 条

[1]

一种压电衬底结构及其制备方法 [P].

母凤文 ;

郭超 ;

于佳杨 .

中国专利 :CN117545337A ,2024-02-09

[2]

一种滤波器用压电衬底结构及其制备方法 [P].

李洋洋 ;

李真宇 ;

杨超 ;

张涛 .

中国专利 :CN113922778B ,2022-01-11

[3]

一种复合压电衬底及其制备方法和应用 [P].

母凤文 ;

郭超 ;

刘福超 ;

谭向虎 .

中国专利 :CN119173124A ,2024-12-20

[4]

一种POI衬底及其制备方法和应用 [P].

杨凯 ;

薛成龙 ;

柏文文 ;

王含冠 ;

杨朋辉 ;

刘培森 ;

肖博远 ;

周鑫辰 ;

高嘉骏 ;

华千慧 ;

国洪辰 ;

崔健 .

中国专利 :CN120041927A ,2025-05-27

[5]

一种复合压电衬底及其制备方法和应用 [P].

宋永军 ;

刘福超 ;

母凤文 ;

谭向虎 .

中国专利 :CN119300697A ,2025-01-10

[6]

一种复合压电衬底及其制备方法 [P].

母凤文 ;

黄秀松 ;

高文琳 ;

郭超 .

中国专利 :CN117750868B ,2024-05-10

[7]

一种复合压电衬底及其制备方法 [P].

母凤文 ;

黄秀松 ;

高文琳 ;

郭超 .

中国专利 :CN117750868A ,2024-03-22

[8]

一种复合压电衬底及其制备方法 [P].

李真宇 ;

杨超 .

中国专利 :CN111816756A ,2020-10-23

[9]

一种压电复合薄膜及其制备方法 [P].

李真宇 ;

朱厚彬 ;

张秀全 ;

杨超 ;

李洋洋 .

中国专利 :CN113540338A ,2021-10-22

[10]

一种氧化镓压电衬底及其制备方法 [P].

王孟源 ;

蒋将 .

中国专利 :CN118944625A ,2024-11-12

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