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屏蔽栅超结MOSFET及其制备方法、芯片
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410142405.2
申请日
:
2024-02-01
公开(公告)号
:
CN117673164A
公开(公告)日
:
2024-03-08
发明(设计)人
:
张婷
申请人
:
深圳天狼芯半导体有限公司
申请人地址
:
518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
IPC主分类号
:
H01L29/78
IPC分类号
:
H01L29/06
H01L21/336
代理机构
:
深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414
代理人
:
阳方玉
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-26
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240201
2024-03-08
公开
公开
2024-08-16
授权
授权
共 50 条
[1]
屏蔽栅超结MOSFET及其制备方法、芯片
[P].
张婷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳天狼芯半导体有限公司
深圳天狼芯半导体有限公司
张婷
.
中国专利
:CN117673164B
,2024-08-16
[2]
超结碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片
[P].
张婷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳天狼芯半导体有限公司
深圳天狼芯半导体有限公司
张婷
.
中国专利
:CN117855280A
,2024-04-09
[3]
超结MOSFET及其制备方法
[P].
吴冠涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
吴冠涛
;
吴贤勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
吴贤勇
;
黄栋栋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
黄栋栋
;
刘慧娟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
刘慧娟
;
张汀
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
张汀
.
中国专利
:CN120379289A
,2025-07-25
[4]
沟槽栅超结MOSFET器件及其制备方法
[P].
徐承福
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐承福
;
朱阳军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱阳军
.
中国专利
:CN107591453A
,2018-01-16
[5]
高短路耐量的超结MOSFET及其制备方法、芯片
[P].
张婷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳天狼芯半导体有限公司
深圳天狼芯半导体有限公司
张婷
.
中国专利
:CN117673163A
,2024-03-08
[6]
高短路耐量的超结MOSFET及其制备方法、芯片
[P].
张婷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳天狼芯半导体有限公司
深圳天狼芯半导体有限公司
张婷
.
中国专利
:CN117673163B
,2024-06-07
[7]
低压屏蔽栅MOSFET及其制备方法、芯片
[P].
刘涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳天狼芯半导体有限公司
深圳天狼芯半导体有限公司
刘涛
.
中国专利
:CN117855282B
,2024-05-24
[8]
低压屏蔽栅MOSFET及其制备方法、芯片
[P].
刘涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳天狼芯半导体有限公司
深圳天狼芯半导体有限公司
刘涛
.
中国专利
:CN117855282A
,2024-04-09
[9]
沟槽超结MOSFET及其制备方法、芯片
[P].
贺俊杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳天狼芯半导体有限公司
深圳天狼芯半导体有限公司
贺俊杰
.
中国专利
:CN118571938A
,2024-08-30
[10]
沟槽超结MOSFET及其制备方法、芯片
[P].
贺俊杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳天狼芯半导体有限公司
深圳天狼芯半导体有限公司
贺俊杰
.
中国专利
:CN118571938B
,2024-10-25
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