屏蔽栅超结MOSFET及其制备方法、芯片

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410142405.2
申请日
2024-02-01
公开(公告)号
CN117673164A
公开(公告)日
2024-03-08
发明(设计)人
张婷
申请人
深圳天狼芯半导体有限公司
申请人地址
518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
IPC主分类号
H01L29/78
IPC分类号
H01L29/06 H01L21/336
代理机构
深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414
代理人
阳方玉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
广东省 深圳市
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共 50 条
[1]
屏蔽栅超结MOSFET及其制备方法、芯片 [P]. 
张婷 .
中国专利 :CN117673164B ,2024-08-16
[2]
超结碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片 [P]. 
张婷 .
中国专利 :CN117855280A ,2024-04-09
[3]
超结MOSFET及其制备方法 [P]. 
吴冠涛 ;
吴贤勇 ;
黄栋栋 ;
刘慧娟 ;
张汀 .
中国专利 :CN120379289A ,2025-07-25
[4]
沟槽栅超结MOSFET器件及其制备方法 [P]. 
徐承福 ;
朱阳军 .
中国专利 :CN107591453A ,2018-01-16
[5]
高短路耐量的超结MOSFET及其制备方法、芯片 [P]. 
张婷 .
中国专利 :CN117673163A ,2024-03-08
[6]
高短路耐量的超结MOSFET及其制备方法、芯片 [P]. 
张婷 .
中国专利 :CN117673163B ,2024-06-07
[7]
低压屏蔽栅MOSFET及其制备方法、芯片 [P]. 
刘涛 .
中国专利 :CN117855282B ,2024-05-24
[8]
低压屏蔽栅MOSFET及其制备方法、芯片 [P]. 
刘涛 .
中国专利 :CN117855282A ,2024-04-09
[9]
沟槽超结MOSFET及其制备方法、芯片 [P]. 
贺俊杰 .
中国专利 :CN118571938A ,2024-08-30
[10]
沟槽超结MOSFET及其制备方法、芯片 [P]. 
贺俊杰 .
中国专利 :CN118571938B ,2024-10-25