一种GaN基微型LED芯片及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111568088.3
申请日
2021-12-21
公开(公告)号
CN114388675B
公开(公告)日
2024-04-16
发明(设计)人
吴小明 刘杰 莫春兰 蒋恺 王立 陈芳
申请人
南昌大学 南昌硅基半导体科技有限公司
申请人地址
330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
IPC主分类号
H01L33/46
IPC分类号
H01L33/14 H01L33/40 H01L33/00
代理机构
江西省专利事务所 36100
代理人
张文
法律状态
授权
国省代码
河北省 保定市
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共 50 条
[1]
一种GaN基微型LED芯片及其制备方法 [P]. 
吴小明 ;
刘杰 ;
莫春兰 ;
蒋恺 ;
王立 ;
陈芳 .
中国专利 :CN114388675A ,2022-04-22
[2]
GaN基LED芯片制备方法 [P]. 
陈诚 ;
齐胜利 ;
郝茂盛 .
中国专利 :CN103811602A ,2014-05-21
[3]
一种GaN基发光芯片及其制备方法 [P]. 
吕守贵 ;
左乐 ;
杨燕 ;
张炳伟 ;
金从龙 .
中国专利 :CN117374157A ,2024-01-09
[4]
GaN基垂直LED芯片及其制备方法 [P]. 
付羿 .
中国专利 :CN112510129A ,2021-03-16
[5]
GaN基LED芯片 [P]. 
梁伏波 ;
杨小东 ;
黄涛 .
中国专利 :CN211789072U ,2020-10-27
[6]
一种GaN基薄膜LED芯片及其制备方法 [P]. 
封波 .
中国专利 :CN105762242A ,2016-07-13
[7]
一种高显示对比度的垂直结构GaN基LED芯片及其制备方法 [P]. 
郑畅达 ;
王立 ;
曹雷 ;
吴小明 ;
夏邦美 ;
胡帅 ;
李新华 .
中国专利 :CN115425132A ,2022-12-02
[8]
一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片 [P]. 
程志青 ;
郭啸 ;
付羿 .
中国专利 :CN119677254A ,2025-03-21
[9]
一种GaN基LED外延结构及其制备方法、LED芯片 [P]. 
程志青 ;
郭啸 ;
付羿 .
中国专利 :CN119677254B ,2025-10-10
[10]
一种GaN基LED外延片及其制备方法、LED芯片 [P]. 
刘春杨 ;
胡加辉 ;
金从龙 ;
顾伟 .
中国专利 :CN118198212A ,2024-06-14