一种氧化铈掺杂材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311285402.6

申请日：

2023-09-28

公开(公告)号：

CN117326870A

公开(公告)日：

2024-01-02

发明(设计)人：

王一光任科郭锦程

申请人：

北京理工大学

申请人地址：

100081 北京市海淀区中关村南大街5号北京理工大学

IPC主分类号：

C04B35/50

IPC分类号：

C04B35/626

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

谢续友;刘芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/50申请日:20230928
2024-01-02	公开	公开
2025-10-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氧化铈掺杂材料及其制备方法和应用 [P].

王一光 ;

任科 ;

郭锦程 .

中国专利 :CN117326870B ,2025-10-03

[2]

一种镧掺杂氧化铈稀土材料及其制备方法和应用 [P].

马江龙 ;

田昂 ;

马腾达 ;

王镝翔 ;

裴文利 .

中国专利 :CN118725631A ,2024-10-01

[3]

一种铈掺杂铋基氧化物材料及其制备方法和应用 [P].

熊宇杰 ;

张超 ;

刘敬祥 .

中国专利 :CN117661016A ,2024-03-08

[4]

一种氧化铈掺杂氧化铟基靶材及其制备方法和应用 [P].

程玺儒 ;

徐威 .

中国专利 :CN121135372A ,2025-12-16

[5]

一种锰掺杂的氧化铈纳米材料及其制备方法和应用 [P].

凌代舜 ;

李方园 ;

林培华 .

中国专利 :CN118005066A ,2024-05-10

[6]

一种金属掺杂氧化铈负载镍的材料及其制备方法和应用 [P].

叶闰平 ;

孙学明 ;

冯刚 ;

张荣斌 ;

魏俊超 ;

张冲 .

中国专利 :CN118320829A ,2024-07-12

[7]

一种多孔氧化铈掺杂氧化锆材料及其制备方法与应用 [P].

陶景超 ;

刘静 ;

何君杰 .

中国专利 :CN113117663A ,2021-07-16

[8]

一种掺杂氧化铈电极及其制备方法和应用 [P].

陈亚 ;

甘辉 ;

关杰豪 ;

陈白珍 ;

石西昌 .

中国专利 :CN106847545A ,2017-06-13

[9]

一种氧化钆掺杂氧化铈材料及其制备方法 [P].

杜志鸿 ;

赵海雷 ;

袁康炜 ;

刘元震 ;

刘永玺 .

中国专利 :CN117819589A ,2024-04-05

[10]

一种氧化铈纳米材料及制备方法和应用 [P].

李灿 ;

关业军 ;

应品良 ;

蒋宗轩 .

中国专利 :CN1840480A ,2006-10-04

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