一种激光选区烧结氮化硅陶瓷方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410129040.X

申请日：

2024-01-30

公开(公告)号：

CN118063221A

公开(公告)日：

2024-05-24

发明(设计)人：

谭庆文朱福林许滔汤娜姜杰英

申请人：

衡阳凯新特种材料科技有限公司

申请人地址：

421200 湖南省衡阳市雁峰区白沙洲工业园区工业大道46号

IPC主分类号：

C04B35/584

IPC分类号：

C04B35/622 C04B35/64

代理机构：

北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297

代理人：

孙孟清

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖南省衡阳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/584申请日:20240130
2024-05-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于激光选区烧结制备氮化硅陶瓷的方法 [P].

谭庆文 ;

朱福林 ;

许滔 ;

汤娜 ;

姜杰英 .

中国专利 :CN117886613A ,2024-04-16

[2]

一种基于激光选区烧结制备高孔隙率氮化硅陶瓷的方法 [P].

史玉升 ;

程立金 ;

马伊欣 ;

吴甲民 ;

陈双 ;

魏正华 ;

郭肖峰 ;

陈安南 .

中国专利 :CN110330344B ,2019-10-15

[3]

一种氮化硅陶瓷烧结助剂、高导热氮化硅陶瓷及制备方法 [P].

丁杰 ;

闫永杰 .

中国专利 :CN117303917B ,2024-07-30

[4]

一种氮化硅陶瓷烧结系统 [P].

曾小锋 ;

朱福林 ;

肖亮 ;

谭庆文 ;

王子贤 .

中国专利 :CN116086197B ,2024-01-12

[5]

一种氮化硅陶瓷烧结的前处理方法、氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

樊磊 ;

高卡 ;

丁云鹏 ;

高阳 ;

杨守磊 ;

白中义 ;

高前程 ;

郭晓琴 ;

张锐 .

中国专利 :CN112209725A ,2021-01-12

[6]

一种氮化硅陶瓷用微波烧结装置 [P].

刘丹 .

中国专利 :CN214199692U ,2021-09-14

[7]

一种气压烧结氮化硅陶瓷的方法 [P].

陈海* ;

安晓宁 .

中国专利 :CN102190498A ,2011-09-21

[8]

一种制备氮化硅陶瓷的烧结助剂及其应用、氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

张伟儒 ;

丁智杰 ;

孙峰 ;

董廷霞 ;

徐学敏 ;

李泽坤 ;

徐金梦 ;

李洪浩 ;

魏文钊 ;

曹冲 .

中国专利 :CN113105252A ,2021-07-13

[9]

一种高硬度氮化硅陶瓷的低温烧结方法 [P].

彭桂花 ;

江国健 ;

李文兰 ;

张宝林 ;

庄汉锐 ;

徐素英 .

中国专利 :CN1654430A ,2005-08-17

[10]

氮化硅陶瓷激光切割装置 [P].

柏小龙 ;

徐祖东 ;

蔡晓霞 .

中国专利 :CN220462639U ,2024-02-09

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