基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311461470.3

申请日：

2023-11-06

公开(公告)号：

CN117855322B

公开(公告)日：

2024-06-11

发明(设计)人：

逄金波侯崇洋秦燕王凤雪刘瑞周伟家刘宏

申请人：

济南大学

申请人地址：

250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号

IPC主分类号：

H01L31/18

IPC分类号：

H01L31/109 H01L31/032

代理机构：

南京思宸知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32548

代理人：

韦康

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山东省济南市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20231106
2024-06-11	授权	授权
2024-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法 [P].

逄金波 ;

侯崇洋 ;

秦燕 ;

王凤雪 ;

刘瑞 ;

周伟家 ;

刘宏 .

中国专利 :CN117855322A ,2024-04-09

[2]

硒化镍钽/硒化钨异质结光电探测器及其制备方法 [P].

张胜利 ;

魏鹏飞 ;

郭婷婷 ;

宋秀峰 ;

曾海波 .

中国专利 :CN115360259A ,2022-11-18

[3]

二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法 [P].

李梓维 ;

李方 ;

杨文 ;

梁德琅 ;

潘安练 .

中国专利 :CN110416065A ,2019-11-05

[4]

基于二硫化铼/二硒化钨异质结的光电器件及制备方法 [P].

吴章婷 ;

洪锦涛 ;

张阳 ;

郑鹏 ;

郑梁 .

中国专利 :CN110277461A ,2019-09-24

[5]

基于二硒化铼与二碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法 [P].

肖静 ;

高志刚 ;

王聪 ;

朱文标 ;

林志滔 .

中国专利 :CN114759113A ,2022-07-15

[6]

硒化钨基范德华异质结的红外光电探测器及其制备方法 [P].

张栩朝 ;

曲英杰 .

中国专利 :CN113594276A ,2021-11-02

[7]

基于二硒化铼与二碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法 [P].

肖静 ;

高志刚 ;

王聪 ;

朱文标 ;

林志滔 .

中国专利 :CN114759113B ,2024-05-28

[8]

一种石墨烯/二硫化钨-二硒化钨异质结/石墨烯光电探测器及其制备方法和应用 [P].

刘子浩 ;

杨玉珏 ;

束开翔 ;

董华锋 ;

张欣 ;

吴福根 .

中国专利 :CN113990970A ,2022-01-28

[9]

二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器及其制备方法 [P].

谢超 ;

王迪 ;

马梦茹 ;

罗林保 .

中国专利 :CN109449225A ,2019-03-08

[10]

一种基于二硒化钨的自驱动光电探测器及其制备方法 [P].

程迎春 ;

苗东鹏 ;

罗小光 ;

刘凡 .

中国专利 :CN114899249A ,2022-08-12

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