位线感测放大器和具有其的半导体存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311322614.7

申请日：

2023-10-12

公开(公告)号：

CN117935878A

公开(公告)日：

2024-04-26

发明(设计)人：

金东建元福渊尹世宁金钟赫

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C11/4091

IPC分类号：

G11C11/4094 G11C11/4097

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

屈玉华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/4091申请日:20231012
2024-04-26	公开	公开

共 50 条

[1]

位线感测放大器及具有它的半导体存储器件 [P].

都昌镐 .

中国专利 :CN1728279A ,2006-02-01

[2]

位线感测放大器和包括位线感测放大器的半导体存储器器件 [P].

金东建 ;

柳明植 ;

元福渊 ;

李硕宰 ;

权大贤 ;

金暻旻 ;

白寅硕 ;

尹世宁 .

韩国专利 :CN119626292A ,2025-03-14

[3]

位线感测放大器和包括位线感测放大器的存储器装置 [P].

张米志 ;

徐宁焄 .

韩国专利 :CN120199294A ,2025-06-24

[4]

具有位线感测放大器的存储器 [P].

玉承翰 .

中国专利 :CN111739566A ,2020-10-02

[5]

放大器电路和半导体存储器件 [P].

元炯植 .

中国专利 :CN103106914A ,2013-05-15

[6]

位线感测放大器和使用其的半导体存储装置 [P].

金熙相 .

中国专利 :CN106356084A ,2017-01-25

[7]

存储器件与感测放大器 [P].

M·帕索蒂 ;

M·卡里希米 ;

R·库尔施瑞斯萨 ;

C·奥里奇奥 .

中国专利 :CN205656858U ,2016-10-19

[8]

半导体存储器件的感测放大电路 [P].

金锡珉 .

中国专利 :CN114512165A ,2022-05-17

[9]

存储器件、感测放大器和存储器电路 [P].

柳睿信 .

韩国专利 :CN120783821A ,2025-10-14

[10]

感测放大器电路以及包括感测放大器电路的存储器件 [P].

金亨洙 .

中国专利 :CN103578519A ,2014-02-12

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