半导体存储器件和存储器模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310858922.5

申请日：

2023-07-12

公开(公告)号：

CN117746943A

公开(公告)日：

2024-03-22

发明(设计)人：

赵健熙崔原荣

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C11/408

IPC分类号：

G11C11/4063 G11C11/4076

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

李娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/408申请日:20230712
2024-03-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体存储器件和存储器系统 [P].

藤冈伸也 ;

佐藤光德 .

中国专利 :CN101430927A ,2009-05-13

[2]

半导体存储器件和存储器系统 [P].

藤冈伸也 ;

佐藤光德 .

中国专利 :CN101430928A ,2009-05-13

[3]

半导体存储器件 [P].

辛贤真 .

韩国专利 :CN109697999B ,2024-07-09

[4]

半导体存储器件 [P].

辛贤真 .

中国专利 :CN109697999A ,2019-04-30

[5]

半导体器件和存储器模块 [P].

川村昌靖 ;

中村淳 ;

坂口良宽 ;

木下嘉隆 ;

高桥康 ;

井上吉彦 .

中国专利 :CN1283871A ,2001-02-14

[6]

包括非易失性存储器件的半导体存储器模块 [P].

崔桢焕 ;

李泰成 .

韩国专利 :CN110795370B ,2025-01-28

[7]

包括非易失性存储器件的半导体存储器模块 [P].

崔桢焕 ;

李泰成 .

中国专利 :CN110795370A ,2020-02-14

[8]

半导体存储器件的纠错电路和半导体存储器件 [P].

赵诚慧 ;

李起准 ;

宋英杰 ;

金成来 ;

金赞起 ;

李明奎 ;

车相彦 .

中国专利 :CN113140252A ,2021-07-20

[9]

半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法 [P].

郑允敬 ;

秋喆焕 .

中国专利 :CN112837725A ,2021-05-25

[10]

半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法 [P].

郑允敬 ;

秋喆焕 .

韩国专利 :CN112837725B ,2025-04-18

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