半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180013349.3

申请日：

2011-03-23

公开(公告)号：

CN102792440A

公开(公告)日：

2012-11-21

发明(设计)人：

出岛裕久川田政和米山正洋高桥丰诚白石史广佐藤敏宽

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L2302

IPC分类号：

H01L2310 H01L2714

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

崔香丹;洪燕

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-21	公开	公开
2013-11-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101671660903 IPC(主分类):H01L 23/02 专利申请号:2011800133493 申请公布日:20121121

共 50 条

[1]

半导体晶片接合体、半导体晶片接合体的制造方法和半导体装置 [P].

出岛裕久 ;

川田政和 ;

米山正洋 ;

高桥丰诚 ;

白石史广 ;

佐藤敏宽 .

中国专利 :CN102326249A ,2012-01-18

[2]

半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置 [P].

米山正洋 ;

川田政和 ;

高桥丰诚 ;

出岛裕久 ;

白石史广 ;

佐藤敏宽 .

中国专利 :CN102696102A ,2012-09-26

[3]

半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置 [P].

佐藤敏宽 ;

川田政和 ;

米山正洋 ;

高桥丰诚 ;

出岛裕久 ;

白石史广 .

中国专利 :CN102326250A ,2012-01-18

[4]

隔片形成用膜、半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置 [P].

佐藤敏宽 ;

川田政和 ;

米山正洋 ;

高桥丰诚 ;

出岛裕久 ;

白石史广 .

中国专利 :CN102625952A ,2012-08-01

[5]

树脂组合物、半导体晶片接合体和半导体装置 [P].

高桥丰诚 ;

川田政和 ;

米山正洋 ;

出岛裕久 ;

白石史广 ;

佐藤敏宽 .

中国专利 :CN102576712A ,2012-07-11

[6]

半导体晶片的接合方法和半导体装置的制造方法 [P].

前岛研三 ;

桂山悟 ;

杉野光生 .

中国专利 :CN101669197B ,2010-03-10

[7]

半导体元件接合体、半导体装置以及半导体元件接合体的制造方法 [P].

山崎浩次 ;

加东智明 .

中国专利 :CN110419097A ,2019-11-05

[8]

半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 .

中国专利 :CN114725123A ,2022-07-08

[9]

半导体晶片接合结构 [P].

元罗彬 ;

金钟薰 .

中国专利 :CN114725049A ,2022-07-08

[10]

半导体晶片、半导体芯片和制造半导体晶片的方法 [P].

O.布兰克 .

:CN110391202B ,2025-03-28

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