半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202211022269.0
申请日
2020-10-20
公开(公告)号
CN115332245B
公开(公告)日
2024-03-08
发明(设计)人
杜卫星 游政昇
申请人
英诺赛科(苏州)科技有限公司
申请人地址
215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖高新区芦莘大道1066号
IPC主分类号
H01L27/085
IPC分类号
H01L23/538 H01L29/06
代理机构
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人
苗青盛
法律状态
授权
国省代码
江苏省 苏州市
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共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
杜卫星 ;
游政昇 .
中国专利 :CN115332314A ,2022-11-11
[2]
半导体器件 [P]. 
杜卫星 ;
游政昇 .
中国专利 :CN115332245A ,2022-11-11
[3]
半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P]. 
杜卫星 ;
游政昇 .
中国专利 :CN112470273B ,2021-03-09
[4]
半导体器件 [P]. 
陈立凡 ;
黄绍璋 ;
李建兴 .
中国专利 :CN117995835A ,2024-05-07
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
郝荣晖 ;
黄敬源 .
中国专利 :CN111106163A ,2020-05-05
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
黄敬源 ;
郝荣晖 ;
章晋汉 .
中国专利 :CN111129118A ,2020-05-08
[7]
半导体器件和包括该半导体器件的功率半导体系统 [P]. 
黄仁俊 .
韩国专利 :CN120729260A ,2025-09-30
[8]
半导体器件 [P]. 
G·普雷科托 ;
O·黑伯伦 ;
C·奥斯特梅尔 .
中国专利 :CN106571363B ,2017-04-19
[9]
半导体器件 [P]. 
大田一树 ;
安藤裕二 .
中国专利 :CN103972284B ,2014-08-06
[10]
半导体器件 [P]. 
黄仁俊 .
韩国专利 :CN120528413A ,2025-08-22