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半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202211022269.0
申请日
:
2020-10-20
公开(公告)号
:
CN115332245B
公开(公告)日
:
2024-03-08
发明(设计)人
:
杜卫星
游政昇
申请人
:
英诺赛科(苏州)科技有限公司
申请人地址
:
215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖高新区芦莘大道1066号
IPC主分类号
:
H01L27/085
IPC分类号
:
H01L23/538
H01L29/06
代理机构
:
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人
:
苗青盛
法律状态
:
授权
国省代码
:
江苏省 苏州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-08
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体器件
[P].
杜卫星
论文数:
0
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0
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杜卫星
;
游政昇
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游政昇
.
中国专利
:CN115332314A
,2022-11-11
[2]
半导体器件
[P].
杜卫星
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杜卫星
;
游政昇
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游政昇
.
中国专利
:CN115332245A
,2022-11-11
[3]
半导体器件以及制造半导体器件的方法
[P].
杜卫星
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杜卫星
;
游政昇
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游政昇
.
中国专利
:CN112470273B
,2021-03-09
[4]
半导体器件
[P].
陈立凡
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机构:
世界先进积体电路股份有限公司
世界先进积体电路股份有限公司
陈立凡
;
黄绍璋
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机构:
世界先进积体电路股份有限公司
世界先进积体电路股份有限公司
黄绍璋
;
李建兴
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机构:
世界先进积体电路股份有限公司
世界先进积体电路股份有限公司
李建兴
.
中国专利
:CN117995835A
,2024-05-07
[5]
半导体器件及其制造方法
[P].
郝荣晖
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郝荣晖
;
黄敬源
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黄敬源
.
中国专利
:CN111106163A
,2020-05-05
[6]
半导体器件及其制造方法
[P].
黄敬源
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黄敬源
;
郝荣晖
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郝荣晖
;
章晋汉
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章晋汉
.
中国专利
:CN111129118A
,2020-05-08
[7]
半导体器件和包括该半导体器件的功率半导体系统
[P].
黄仁俊
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
黄仁俊
.
韩国专利
:CN120729260A
,2025-09-30
[8]
半导体器件
[P].
G·普雷科托
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G·普雷科托
;
O·黑伯伦
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O·黑伯伦
;
C·奥斯特梅尔
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C·奥斯特梅尔
.
中国专利
:CN106571363B
,2017-04-19
[9]
半导体器件
[P].
大田一树
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大田一树
;
安藤裕二
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安藤裕二
.
中国专利
:CN103972284B
,2014-08-06
[10]
半导体器件
[P].
黄仁俊
论文数:
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
黄仁俊
.
韩国专利
:CN120528413A
,2025-08-22
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