一种硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310240136.9

申请日：

2023-03-14

公开(公告)号：

CN117902545A

公开(公告)日：

2024-04-19

发明(设计)人：

王丹丹陈迎迎刘彤

申请人：

苏州恒芯微电子有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼109C、110A室

IPC主分类号：

B81C1/00

IPC分类号：

代理机构：

北京国源中科知识产权代理事务所(普通合伙) 16179

代理人：

戈余丽

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-19	公开	公开
2024-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B81C 1/00申请日:20230314

共 50 条

[1]

一种干法刻蚀设备的下部电极基台和干法刻蚀设备 [P].

梁魁 .

中国专利 :CN103811332B ,2014-05-21

[2]

一种反应室、干法刻蚀设备及刻蚀方法 [P].

何怀亮 .

中国专利 :CN109273339A ,2019-01-25

[3]

一种干法刻蚀机及其刻蚀方法 [P].

刘思洋 .

中国专利 :CN103745904B ,2014-04-23

[4]

一种干法刻蚀设备及刻蚀方法 [P].

宋德伟 .

中国专利 :CN108878250A ,2018-11-23

[5]

一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔 [P].

黄成强 ;

汪明刚 ;

陈波 ;

李超波 .

中国专利 :CN202259153U ,2012-05-30

[6]

一种干法刻蚀坚硬无机材料基板ICP刻蚀机的刻蚀腔 [P].

黄成强 ;

汪明刚 ;

陈波 ;

李超波 .

中国专利 :CN102368465A ,2012-03-07

[7]

一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备 [P].

王金宝 ;

冷问竹 ;

陈飞 ;

李岩 .

中国专利 :CN111243933A ,2020-06-05

[8]

一种用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀装置 [P].

梁魁 ;

陈曦 ;

封宾 ;

袁剑峰 .

中国专利 :CN103913876B ,2014-07-09

[9]

一种适配不同工艺的干法刻蚀设备及刻蚀方法 [P].

李超 ;

张文庆 ;

祝晓鹏 .

中国专利 :CN120954959A ,2025-11-14

[10]

一种提高干法刻蚀精度的薄膜辅助方法和干法刻蚀产品 [P].

谢圣文 ;

谢莉莉 ;

柴瑞青 ;

孙启扬 ;

王小勇 ;

张旭 .

中国专利 :CN118983300A ,2024-11-19

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