高密度半导体存储器单元和存储器阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510052717.1

申请日：

2005-03-10

公开(公告)号：

CN100499132C

公开(公告)日：

2005-11-09

发明(设计)人：

J·Z·彭

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

G11C1600

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴立明;梁永

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-06-10	授权	授权
2019-03-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/115 登记生效日:20190312 变更事项:专利权人变更前权利人:基洛帕斯技术公司变更后权利人:美商新思科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国加利福尼亚州
2005-11-09	公开	公开

共 50 条

[1]

采用单个晶体管的高密度半导体存储器单元和存储器阵列 [P].

彭泽忠 .

中国专利 :CN1229870C ,2003-08-06

[2]

存储器单元、半导体结构及存储器阵列 [P].

王屏薇 ;

陈瑞麟 .

中国专利 :CN118714840A ,2024-09-27

[3]

高密度存储器单元结构 [P].

李伟建 ;

裴成文 ;

王平川 .

中国专利 :CN107230679A ,2017-10-03

[4]

存储器单元和存储器阵列 [P].

B·拉耶恩德兰 ;

甯德雄 ;

林仲汉 .

中国专利 :CN101483185B ,2009-07-15

[5]

存储器单元、半导体器件以及存储器阵列 [P].

王屏薇 ;

张峰铭 ;

陈瑞麟 .

中国专利 :CN118284032A ,2024-07-02

[6]

半导体存储器单元和存储器电路 [P].

P·加利 ;

R·勒蒂克 .

中国专利 :CN210723027U ,2020-06-09

[7]

存储器阵列和存储器单元 [P].

H·埃尔迪拉尼 ;

T·贝德卡尔拉茨 ;

P·加利 .

中国专利 :CN209389036U ,2019-09-13

[8]

存储器单元和存储器阵列 [P].

王屏薇 ;

陈瑞麟 ;

吴于贝 .

中国专利 :CN118714839A ,2024-09-27

[9]

浮栅存储器单元的半导体存储器阵列 [P].

陈柏密 ;

李达纳 .

中国专利 :CN100468746C ,2004-10-20

[10]

半导体存储器单元阵列以及半导体只读存储器单元阵列 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN102034549A ,2011-04-27

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