二次电池用正极、二次电池以及二次电池用正极的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310374107.8
申请日
2013-08-26
公开(公告)号
CN103633294B
公开(公告)日
2014-03-12
发明(设计)人
山梶正树 川上贵洋 元吉真子 矢田部莉加
申请人
申请人地址
日本神奈川
IPC主分类号
H01M4136
IPC分类号
H01M462 H01M10052 H01M41397
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
刘倜
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
二次电池、二次电池用正极及二次电池用正极的制造方法 [P]. 
三上真弓 ;
成田和平 ;
落合辉明 ;
米田祐美子 .
中国专利 :CN112786883A ,2021-05-11
[2]
二次电池用正极以及二次电池 [P]. 
福田真纯 ;
黄木淳史 ;
根本淳史 ;
小野贵正 ;
仓塚真树 ;
藤川隆成 ;
添田竜次 ;
高桥翔 ;
秋山仁人 ;
河野阳介 ;
西山祥一 ;
浅沼武夫 ;
早崎真治 .
中国专利 :CN115443556A ,2022-12-06
[3]
二次电池用正极、二次电池和二次电池用正极的制造方法 [P]. 
川田浩史 ;
福井厚史 .
中国专利 :CN111095614A ,2020-05-01
[4]
二次电池用正极、二次电池用正极的制造方法及二次电池 [P]. 
杉本拓己 .
中国专利 :CN106463730B ,2017-02-22
[5]
二次电池用正极以及二次电池 [P]. 
斯瓦蒂·代维 ;
平野雄大 ;
片山真一 ;
松井贵昭 ;
大山有代 .
日本专利 :CN114651343B ,2024-06-11
[6]
二次电池用正极以及二次电池 [P]. 
福田真纯 ;
黄木淳史 ;
根本淳史 ;
小野贵正 ;
仓塚真树 ;
藤川隆成 ;
添田竜次 ;
高桥翔 ;
秋山仁人 ;
河野阳介 ;
西山祥一 ;
浅沼武夫 ;
早崎真治 .
日本专利 :CN115443556B ,2025-07-15
[7]
二次电池用正极以及二次电池 [P]. 
小野贵正 ;
黄木淳史 ;
仓塚真树 ;
藤川隆成 ;
添田竜次 ;
高桥翔 ;
秋山仁人 ;
河野阳介 ;
西山祥一 ;
浅沼武夫 ;
早崎真治 .
中国专利 :CN115336037A ,2022-11-11
[8]
二次电池用正极以及二次电池 [P]. 
斯瓦蒂·代维 ;
平野雄大 ;
片山真一 ;
松井贵昭 ;
大山有代 .
中国专利 :CN114651343A ,2022-06-21
[9]
二次电池用正极以及二次电池 [P]. 
日浅巧 ;
铃木义明 .
日本专利 :CN119998954A ,2025-05-13
[10]
二次电池用正极、二次电池和二次电池用正极的制造方法 [P]. 
川田浩史 ;
福井厚史 .
中国专利 :CN111512479A ,2020-08-07