一种检测碳化硅中碳化硅含量的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310731778.5

申请日：

2013-12-27

公开(公告)号：

CN103822841A

公开(公告)日：

2014-05-28

发明(设计)人：

徐波曹静华刘涛杨碧英郭享平张献义

申请人：

申请人地址：

614900 四川省乐山市沙湾区王田路

IPC主分类号：

G01N500

IPC分类号：

代理机构：

成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214

代理人：

钱成岑;韩雪

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-24	授权	授权
2014-05-28	公开	公开
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583211700 IPC(主分类):G01N 5/00 专利申请号:2013107317785 申请日:20131227

共 50 条

[1]

一种检测复合碳化硅中碳化硅含量的方法 [P].

牟英华 .

中国专利 :CN118225541A ,2024-06-21

[2]

一种碳化硅复合材料中碳化硅含量的测定方法 [P].

白海香 ;

赵永红 ;

张庆明 .

中国专利 :CN106769982A ,2017-05-31

[3]

碳化硅衬底、碳化硅锭以及制造碳化硅衬底和碳化硅锭的方法 [P].

佐佐木信 ;

西口太郎 .

中国专利 :CN103476975A ,2013-12-25

[4]

碳化硅的制造方法及碳化硅 [P].

星亮二 ;

松本克 ;

青木良隆 ;

松井智波 .

中国专利 :CN105008278A ,2015-10-28

[5]

碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制造方法 [P].

堂本千秋 ;

正木克明 ;

柴田和也 ;

山口恵彥 ;

上山大辅 .

中国专利 :CN105940149A ,2016-09-14

[6]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[7]

(请求不公开姓名) .

中国专利 :CN101555010A ,2009-10-14

[8]

一种碳化硅材料制备方法、碳化硅材料及碳化硅部件 [P].

杜宗伟 ;

杨佐东 ;

罗春 ;

陈欣 ;

张文平 .

中国专利 :CN120138603A ,2025-06-13

[9]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746317A ,2021-05-04

[10]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746317B ,2024-05-31

← 1 2 3 4 5 →