高品质因数超低介电常数微波介电陶瓷Mg3Bi2Ge3O12及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610087955.4

申请日：

2016-02-17

公开(公告)号：

CN105801102A

公开(公告)日：

2016-07-27

发明(设计)人：

方维双唐莹苏和平

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35453

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-27	公开	公开
2016-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101675841289 IPC(主分类):C04B 35/453 专利申请号:2016100879554 申请日:20160217
2021-02-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/453 申请公布日:20160727

共 50 条

[1]

高品质因数超低介电常数微波介电陶瓷Zn3Sm2Ge3O12及其制备方法 [P].

方维双 ;

卢锋奇 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105777121A ,2016-07-20

[2]

高品质因数超低介电常数微波介电陶瓷Cu3La2Ge3O12及其制备方法 [P].

方维双 ;

卢锋奇 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105777102A ,2016-07-20

[3]

高品质因数超低介电常数微波介电陶瓷Cu3ZnTiGe3O12及其制备方法 [P].

徐军古 ;

李纯纯 ;

邓酩 .

中国专利 :CN105523754A ,2016-04-27

[4]

高品质因数超低介电常数微波介电陶瓷Eu2YV3O12 [P].

唐莹 ;

方亮 ;

方维双 .

中国专利 :CN105174952A ,2015-12-23

[5]

高品质因数超低介电常数微波介电陶瓷Zn3BiVO7 [P].

方维双 ;

邓酩 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105777105A ,2016-07-20

[6]

高品质因数超低介电常数微波介电陶瓷CaLi3La3Mo2O13 [P].

唐莹 ;

李纯纯 ;

王丹 .

中国专利 :CN104876572A ,2015-09-02

[7]

高品质因数超低介电常数微波介电陶瓷CaLiLa3Mo5O21 [P].

唐莹 ;

李纯纯 ;

王丹 .

中国专利 :CN104876574A ,2015-09-02

[8]

高品质因数低介电常数微波介电陶瓷Ca3MgTiGe3O12及其制备方法 [P].

卢锋奇 ;

李纯纯 ;

邓酩 .

中国专利 :CN105777077A ,2016-07-20

[9]

高品质因数低介电常数微波介电陶瓷Ca3Bi2V2O11 [P].

方维双 ;

邓酩 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105693233A ,2016-06-22

[10]

高品质因数低介电常数微波介电陶瓷Sr3MgGe4O12及其制备方法 [P].

王丹 ;

方维双 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105565780A ,2016-05-11

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