氧化铜纳米线阵列在室温下的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610098628.9

申请日：

2016-02-23

公开(公告)号：

CN105514406A

公开(公告)日：

2016-04-20

发明(设计)人：

郑鹏刘婷郭守武

申请人：

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学

IPC主分类号：

H01M448

IPC分类号：

H01M41391 H01M100525 B82Y3000

代理机构：

西安智大知识产权代理事务所 61215

代理人：

杨晔

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01M 4/48 申请公布日:20160420
2016-04-20	公开	公开
2016-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101660900585 IPC(主分类):H01M 4/48 专利申请号:2016100986289 申请日:20160223

共 50 条

[1]

氧化铜纳米线的制备方法 [P].

周明杰 ;

邵鹏睿 ;

马文波 .

中国专利 :CN102858689A ,2013-01-02

[2]

一种氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法 [P].

杜祖亮 ;

乔振聪 ;

程轲 ;

程纲 .

中国专利 :CN102181831A ,2011-09-14

[3]

纳米多孔氧化铜/氧化铜纳米线复合结构及其制备方法 [P].

杨卿 ;

楚思清 .

中国专利 :CN107986316A ,2018-05-04

[4]

一种氢氧化铜纳米线及多孔氧化铜纳米线的制备方法 [P].

廖勇志 ;

李俊杰 ;

刘靖润 .

中国专利 :CN120081410A ,2025-06-03

[5]

一种氧化铜纳米线的制备方法 [P].

苗中正 ;

苗爱民 ;

张立云 .

中国专利 :CN109305696B ,2019-02-05

[6]

一种氧化铜纳米线的制备方法 [P].

储德清 ;

葛歌 ;

杨路峰 ;

王志龙 ;

孙慧娄 .

中国专利 :CN106315660A ,2017-01-11

[7]

一种氧化铜纳米线的制备方法 [P].

李浩 .

中国专利 :CN105712741A ,2016-06-29

[8]

一种氧化铜纳米线阵列定域生长方法 [P].

许宁生 ;

陈军 ;

张思秘 ;

邓少芝 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN100402432C ,2006-10-11

[9]

氧化锌包覆氧化铜纳米线的异质结阵列的制备方法 [P].

陈子博 ;

吴强 ;

李雪 ;

何倩 ;

焦云飞 ;

韩旭然 ;

陈剑宇 ;

应世强 ;

李谊 ;

马延文 .

中国专利 :CN113517374A ,2021-10-19

[10]

氧化铜纳米管阵列的制备方法 [P].

张卫新 ;

杨则恒 ;

丁筛霞 ;

杨世和 .

中国专利 :CN100469685C ,2006-08-16

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