一种分等级结构碳插层MoS2@rGO的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610212081.0
申请日
2016-04-07
公开(公告)号
CN105836804B
公开(公告)日
2016-08-10
发明(设计)人
李亚峰 魏明灯 车宗洲 陈凯翔
申请人
申请人地址
350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区
IPC主分类号
C01G3906
IPC分类号
C01B32184 B82Y3000
代理机构
福州元创专利商标代理有限公司 35100
代理人
蔡学俊
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种分等级结构MoS2@rGO的制备方法 [P]. 
李亚峰 ;
魏明灯 ;
车宗洲 ;
熊佩勋 .
中国专利 :CN105772035B ,2016-07-20
[2]
一种分等级单斜相ZrO2纳米片的制备方法 [P]. 
黄飞 ;
闫爱华 ;
尹诗斌 ;
廖振华 ;
刘云 ;
赵辉 ;
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强颖怀 ;
张绍良 .
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[3]
一种新型分等级结构镍锰酸锂正极材料的制备方法 [P]. 
梅涛 ;
李静 ;
杨凯 ;
王贤保 .
中国专利 :CN110885100A ,2020-03-17
[4]
一种分等级中空Nb3O7F纳米材料的制备方法 [P]. 
黄飞 ;
闫爱华 ;
尹诗斌 ;
廖振华 ;
赵辉 ;
刘云 ;
张凯 ;
强颖怀 ;
张绍良 .
中国专利 :CN103303977B ,2013-09-18
[5]
一种高催化活性分等级结构钼酸银的制备方法 [P]. 
代凯 ;
王中辽 ;
吕佳丽 ;
梁长浩 ;
朱光平 ;
李栋佩 .
中国专利 :CN105771988A ,2016-07-20
[6]
一种分等级结构锗酸锰纳米线及其制备方法 [P]. 
邵海燕 .
中国专利 :CN114804208A ,2022-07-29
[7]
一种MoS2纳米瓦/石墨烯复合纳米材料及其制备方法 [P]. 
陈卫祥 ;
马琳 ;
黄国创 ;
王臻 ;
叶剑波 .
中国专利 :CN104091936B ,2014-10-08
[8]
一种分等级锡酸锌大孔材料的制备方法 [P]. 
匡代彬 ;
王玉芬 ;
李柯楠 ;
徐杨帆 ;
饶华商 ;
苏成勇 .
中国专利 :CN103265065A ,2013-08-28
[9]
一种分等级碳纤维‑石墨烯基贝壳层状仿生电磁屏蔽膜的制备方法 [P]. 
王小亮 ;
孙宏宇 ;
王庆国 ;
白丽云 ;
曲兆明 ;
王平平 ;
王献芬 ;
李继勇 .
中国专利 :CN105038055B ,2015-11-11
[10]
一种微纳米氧化铜分等级结构的制备方法 [P]. 
孔春才 ;
杨志懋 ;
胡玄玄 ;
张晓晶 ;
杨森 .
中国专利 :CN108033478A ,2018-05-15