氮化硅陶瓷的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910015236.1

申请日：

2009-05-15

公开(公告)号：

CN101555141A

公开(公告)日：

2009-10-14

发明(设计)人：

高礼文樊震坤许业静刘天程范勇刘宝英刘德军

申请人：

申请人地址：

255086山东省淄博市开发区柳泉路264号

IPC主分类号：

C04B35622

IPC分类号：

C04B35584 C04B3564

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-08-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101446340948 IPC(主分类):C04B 35/622 专利申请号:2009100152361 公开日:20091014
2009-10-14	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅粉体及其制备方法、氮化硅陶瓷 [P].

韩召 ;

刘鹏飞 ;

郗威 ;

吴六顺 .

中国专利 :CN118420356A ,2024-08-02

[2]

氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

何东 ;

张天宇 ;

宋晓超 ;

张天舒 .

中国专利 :CN106866154A ,2017-06-20

[3]

氮化硅陶瓷的制备方法 [P].

玄伟东 ;

任忠鸣 ;

赵登科 ;

刘利俊 ;

兰健 ;

李传军 .

中国专利 :CN107673765A ,2018-02-09

[4]

一种反应烧结制备氮化硅陶瓷的方法 [P].

武振飞 ;

张弘毅 ;

梅杰 ;

薛志岗 .

中国专利 :CN115594511B ,2024-06-25

[5]

一种反应烧结制备氮化硅陶瓷的方法 [P].

武振飞 ;

张弘毅 ;

梅杰 ;

薛志岗 .

中国专利 :CN115594511A ,2023-01-13

[6]

氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板 [P].

杨晓冬 ;

冼锐炜 .

中国专利 :CN120349192A ,2025-07-22

[7]

一种制备致密氮化硅陶瓷的方法 [P].

武振飞 ;

张雷 ;

梅杰 ;

王跃超 ;

张弘毅 .

中国专利 :CN119977615A ,2025-05-13

[8]

氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

伍尚华 ;

蒋强国 ;

郭伟明 ;

熊明 ;

秦杰 ;

古尚贤 ;

付君宇 ;

童文欣 .

中国专利 :CN105016738A ,2015-11-04

[9]

氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

颜井意 ;

蔡安澜 ;

杜建周 ;

史媛玉 .

中国专利 :CN108409336A ,2018-08-17

[10]

一种通过多因素优化制备高致密度氮化硅陶瓷的方法及制备的氮化硅陶瓷 [P].

管晶 ;

李世佳 ;

管甲锁 ;

宋索成 .

中国专利 :CN111393170A ,2020-07-10

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