微电极阵列结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210034566.7

申请日：

2012-02-14

公开(公告)号：

CN102671724B

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

王崇智何庆延黄大卫王文生

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

B01L300

IPC分类号：

G06F1750

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

梁挥

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-11	授权	授权
2021-01-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B01L 3/00 申请日:20120214 授权公告日:20150311 终止日期:20200214
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346527223 IPC(主分类):B01L 3/00 专利申请号:2012100345667 申请日:20120214
2012-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

基于微电极阵列结构的现场可编程芯片实验室 [P].

王崇智 ;

何庆延 ;

黄大卫 ;

王文生 .

中国专利 :CN102671722A ,2012-09-19

[2]

微电极阵列 [P].

邢楚枫 .

中国专利 :CN223169743U ,2025-08-01

[3]

抗位移微电极、微电极束、和微电极阵列 [P].

J·舒恩伯格 ;

G·林德 ;

C·赫斯特 ;

L-A·克莱门茨 .

中国专利 :CN103153392B ,2013-06-12

[4]

毫微电极阵列 [P].

约翰·P·佩特斯 .

中国专利 :CN1278917A ,2001-01-03

[5]

一种中空结构微电极阵列 [P].

汪红 ;

吴静 ;

丁桂甫 ;

赵小林 .

中国专利 :CN202224784U ,2012-05-23

[6]

阵列微电极、阵列微电极制备方法及阵列微孔加工方法 [P].

雷建国 ;

沈昊天 ;

吴慧勇 ;

徐斌 ;

郭程 ;

赵春洋 ;

程蓉 ;

伍晓宇 .

中国专利 :CN117340372A ,2024-01-05

[7]

介质上电润湿微电极阵列结构上的液滴处理方法 [P].

王崇智 ;

何庆延 ;

黄大卫 ;

王文生 .

中国专利 :CN102671723A ,2012-09-19

[8]

微电极阵列及其制备方法 [P].

张翊 .

中国专利 :CN108751117A ,2018-11-06

[9]

一种微电极阵列 [P].

赵平 ;

王千畅 ;

王智华 .

中国专利 :CN118342875A ,2024-07-16

[10]

微电极阵列传感器 [P].

叶建山 ;

黄奕莹 .

中国专利 :CN202522538U ,2012-11-07

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