一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202020151018.2

申请日：

2020-02-03

公开(公告)号：

CN211045463U

公开(公告)日：

2020-07-17

发明(设计)人：

周浩曹冰王钦华

申请人：

申请人地址：

215137 江苏省苏州市相城区济学路8号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345

代理人：

王利斌

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件及其制备方法 [P].

曹冰 ;

周浩 ;

王钦华 .

中国专利 :CN111162147B ,2024-03-08

[2]

一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件及其制备方法 [P].

曹冰 ;

周浩 ;

王钦华 .

中国专利 :CN111162147A ,2020-05-15

[3]

一种柔性衬底上制备石墨烯器件的方法 [P].

王浩敏 ;

谢红 ;

王慧山 ;

孙秋娟 ;

陈吉 ;

张学富 ;

吴天如 ;

谢晓明 ;

江绵恒 .

中国专利 :CN103943513B ,2014-07-23

[4]

一种基于石墨烯的肖特基柔性光伏器件 [P].

汤乃云 .

中国专利 :CN104966758A ,2015-10-07

[5]

一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法 [P].

孙晓娟 ;

黎大兵 ;

贾玉萍 ;

刘贺男 ;

宋航 ;

李志明 ;

陈一仁 ;

缪国庆 ;

蒋红 ;

张志伟 .

中国专利 :CN107808819A ,2018-03-16

[6]

一种用于GaN基HEMT封装的石墨烯异质结基片 [P].

陈鑫 ;

武山 ;

孙茂松 ;

张纪才 .

中国专利 :CN220984520U ,2024-05-17

[7]

一种柔性石墨烯等离激元器件及其制备方法 [P].

戴庆 ;

胡海 ;

杨晓霞 ;

郭相东 ;

胡德波 .

中国专利 :CN108389930A ,2018-08-10

[8]

一种在石墨烯上生长GaN薄膜的方法 [P].

张源涛 ;

余烨 ;

邓高强 ;

张宝林 .

中国专利 :CN112053942A ,2020-12-08

[9]

具有石墨烯电极的GaN基半导体器件及其制备方法 [P].

杨连乔 ;

冯伟 ;

胡建正 ;

张建华 .

中国专利 :CN103904108B ,2014-07-02

[10]

生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器 [P].

李国强 ;

郑昱林 ;

王文樑 ;

唐鑫 ;

陈胜 ;

杨昱辉 .

中国专利 :CN210805800U ,2020-06-19

← 1 2 3 4 5 →