一种二维多孔二氧化硅纳米片的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201110213158.3
申请日
2011-07-28
公开(公告)号
CN102275939A
公开(公告)日
2011-12-14
发明(设计)人
高超 寇亮
申请人
申请人地址
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
IPC主分类号
C01B3312
IPC分类号
B82Y4000
代理机构
杭州求是专利事务所有限公司 33200
代理人
杜军
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种多孔二氧化硅纳米片的制备方法 [P]. 
杨志广 ;
李志伟 ;
李可 ;
杨月云 ;
孟玉宁 ;
武文 .
中国专利 :CN110054191A ,2019-07-26
[2]
一种纳米二氧化硅的制备方法 [P]. 
王彦欣 ;
黄林军 ;
唐建国 ;
王瑶 ;
王薇 ;
史建行 ;
孙秋禹 .
中国专利 :CN107934975B ,2018-04-20
[3]
单分散纳米球形二氧化硅的制备方法及纳米二氧化硅 [P]. 
熊仕显 ;
蒋绪川 ;
余艾冰 .
中国专利 :CN104211073A ,2014-12-17
[4]
一种纳米二氧化硅的制备方法 [P]. 
蒋建华 .
中国专利 :CN108455620A ,2018-08-28
[5]
一种纳米二氧化硅的制备方法 [P]. 
秦利霞 ;
杨宇翔 ;
张晓萍 ;
康诗钊 ;
李向清 ;
朱友益 ;
樊剑 .
中国专利 :CN113321218B ,2021-08-31
[6]
纳米多孔二氧化硅光学薄膜的制备方法 [P]. 
沈军 ;
杨帆 ;
孙骐 ;
吴广明 ;
倪星元 ;
周斌 .
中国专利 :CN1553219A ,2004-12-08
[7]
多孔二氧化硅的制备方法以及多孔二氧化硅 [P]. 
今井宏明 ;
绪明佑哉 ;
渡辺洋人 .
中国专利 :CN102834355B ,2012-12-19
[8]
一种多孔二氧化硅及其应用 [P]. 
杨鹏 ;
张秋霞 ;
刘萍 ;
李黎仙 ;
宁科功 .
中国专利 :CN118458787A ,2024-08-09
[9]
一种纳米二氧化硅分散液的制备方法 [P]. 
郭君华 ;
李士杰 ;
吴晓霞 .
中国专利 :CN120553719A ,2025-08-29
[10]
一种多孔二氧化硅纳米片及其制备方法 [P]. 
张建安 ;
袁玉昆 ;
张康民 ;
吴明元 ;
吴庆云 ;
杨建军 ;
刘久逸 .
中国专利 :CN109019617A ,2018-12-18