晶体硅太阳电池接触电阻率测量装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120039144.X

申请日：

2011-02-15

公开(公告)号：

CN202305597U

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

沈辉林荣超曾飞朱微桦

申请人：

申请人地址：

510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

IPC主分类号：

G01R1067

IPC分类号：

G01R2702 G01R3136

代理机构：

广州市一新专利商标事务所有限公司 44220

代理人：

陈振华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-04	授权	授权
2021-03-05	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):G01R 1/067 申请日:20110215 授权公告日:20120704

共 50 条

[1]

晶体硅太阳电池正面电极接触电阻测量装置 [P].

王雪松 ;

李嘉亮 ;

杨振英 ;

崇锋 ;

吕欣 .

中国专利 :CN204086398U ,2015-01-07

[2]

晶体硅太阳电池 [P].

邹凯 ;

和江变 ;

周国华 ;

马承鸿 ;

李健 .

中国专利 :CN205376542U ,2016-07-06

[3]

晶体硅太阳电池 [P].

甘旭 ;

黄岳文 ;

李华维 ;

季凯春 ;

陈斌 ;

孙励斌 ;

徐晓群 ;

殷海亭 ;

李志强 ;

唐则祁 ;

胡宏勋 .

中国专利 :CN201323200Y ,2009-10-07

[4]

晶体硅太阳电池 [P].

黄岳文 ;

甘旭 ;

季凯春 ;

李华维 ;

陈斌 ;

孙励斌 ;

徐晓群 ;

殷海亭 ;

李志强 ;

唐则祁 ;

胡宏勋 .

中国专利 :CN201323201Y ,2009-10-07

[5]

晶体硅太阳电池 [P].

和江变 ;

邹凯 ;

周国华 ;

马承鸿 ;

李健 .

中国专利 :CN205264724U ,2016-05-25

[6]

晶体硅太阳电池背接触电池及其制备方法 [P].

林洪峰 ;

王岚 ;

吴昕 ;

蔡蔚 ;

龙巍 ;

赵秀生 .

中国专利 :CN103700715A ,2014-04-02

[7]

晶体硅太阳电池背电极 [P].

周之斌 ;

刘阳 ;

丁开顺 ;

汪甡杰 ;

方超 ;

马玉锋 ;

方健 ;

杨健 .

中国专利 :CN201966217U ,2011-09-07

[8]

晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极 [P].

陈奕峰 ;

皮埃尔·J·威灵顿 ;

冯志强 ;

沈辉 ;

皮亚同·皮·阿特玛特 .

中国专利 :CN203521433U ,2014-04-02

[9]

晶体硅太阳电池 [P].

吉河训太 .

日本专利 :CN113826214B ,2024-04-09

[10]

晶体硅太阳电池及晶体硅太阳电池的组合电池 [P].

吉河训太 .

中国专利 :CN113826214A ,2021-12-21

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