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半导体制造装置以及半导体器件的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910634442.4
申请日：
2019-07-12
公开(公告)号：
CN110729210A
公开(公告)日：
2020-01-24
发明(设计)人：
小桥英晴 保坂浩二 松崎由树
申请人：
申请人地址：
日本山梨县
IPC主分类号：
H01L2166
IPC分类号：
H01L2167 H01L2150
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
陈伟;闫剑平
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-02-25 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20190712
2020-01-24 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 .
中国专利 :CN109524320A ,2019-03-26
[2]
半导体制造装置及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 .
中国专利 :CN108962784B ,2018-12-07
[3]
半导体制造装置以及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 ;
保坂浩二 .
日本专利 :CN111725086B ,2024-03-12
[4]
半导体制造装置以及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 ;
莳田美明 .
日本专利 :CN120656965A ,2025-09-16
[5]
半导体制造装置以及半导体器件的制造方法 [P]. 
牧浩 .
中国专利 :CN108987305A ,2018-12-11
[6]
半导体制造装置以及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 ;
保坂浩二 .
中国专利 :CN111725086A ,2020-09-29
[7]
半导体制造装置、检查装置以及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 .
日本专利 :CN120709172A ,2025-09-26
[8]
半导体制造装置、半导体制造系统及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 .
日本专利 :CN119208185A ,2024-12-27
[9]
半导体制造装置以及半导体器件的制造方法 [P]. 
横森刚 ;
大久保达行 ;
名久井勇辉 ;
牧浩 ;
齐藤明 ;
冈本直树 .
日本专利 :CN118448310A ,2024-08-06
[10]
半导体制造装置以及半导体器件的制造方法 [P]. 
横森刚 ;
大久保达行 ;
名久井勇辉 ;
牧浩 ;
齐藤明 ;
冈本直树 .
中国专利 :CN111739818A ,2020-10-02
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