制造非易失性存储器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710000710.4

申请日：

2007-01-10

公开(公告)号：

CN100517656C

公开(公告)日：

2007-08-29

发明(设计)人：

洪韺玉

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

杨生平;杨红梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-08-29	公开	公开
2007-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-22	授权	授权
2015-03-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101600530381 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利号:ZL2007100007104 申请日:20070110 授权公告日:20090722 终止日期:20140110

共 50 条

[1]

制造非易失性存储器件的方法 [P].

李命植 ;

金眞求 .

中国专利 :CN102169834A ,2011-08-31

[2]

非易失性存储器件的制造方法 [P].

金占寿 ;

张熙显 .

中国专利 :CN101097893A ,2008-01-02

[3]

制造非易失性存储器件的方法 [P].

任洙贤 ;

李承* .

中国专利 :CN102751245A ,2012-10-24

[4]

制造非易失性存储器件的方法 [P].

黄善珏 .

中国专利 :CN101908509A ,2010-12-08

[5]

制造非易失性存储器件的方法 [P].

宋锡杓 ;

辛东善 ;

李荣镇 ;

李美梨 ;

金治皓 ;

朴吉在 ;

徐辅民 .

中国专利 :CN101556937B ,2009-10-14

[6]

制造非易失性存储器件的方法 [P].

崔元烈 .

中国专利 :CN100511650C ,2007-11-28

[7]

非易失性存储器件的制造方法 [P].

金世训 .

中国专利 :CN101154631A ,2008-04-02

[8]

制造非易失性存储器件的方法 [P].

尹光铉 .

中国专利 :CN101894804A ,2010-11-24

[9]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

郑真孝 .

中国专利 :CN101471384A ,2009-07-01

[10]

非易失性存储器件及其制造方法 [P].

高利尚卡尔·钦达劳雷 ;

保罗·A·英格尔索尔 ;

克莱格·T·斯维夫特 ;

亚历山大·B·豪伊夫勒 .

中国专利 :CN101197292B ,2008-06-11

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