利用低温晶片温度的离子束蚀刻

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710103518.1

申请日：

2017-02-24

公开(公告)号：

CN107123733B

公开(公告)日：

2017-09-01

发明(设计)人：

索斯藤·利尔伊凡·L·贝瑞三世安东尼·里奇

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L4312

IPC分类号：

H01J3730 H01J3732

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠;邱晓敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-08	授权	授权
2017-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101750372088 IPC(主分类):H01L 43/12 专利申请号:2017101035181 申请日:20170224
2017-09-01	公开	公开

共 50 条

[1]

利用低温晶片温度的离子束蚀刻 [P].

索斯藤·利尔 ;

伊凡·L·贝瑞三世 ;

安东尼·里奇 .

中国专利 :CN110634726B ,2019-12-31

[2]

利用侧壁清洁的离子束蚀刻 [P].

索斯藤·利尔 ;

伊凡·L·贝瑞三世 .

美国专利 :CN113519071B ,2025-04-22

[3]

利用侧壁清洁的离子束蚀刻 [P].

索斯藤·利尔 ;

伊凡·L·贝瑞三世 .

美国专利 :CN120500263A ,2025-08-15

[4]

利用侧壁清洁的离子束蚀刻 [P].

索斯藤·利尔 ;

伊凡·L·贝瑞三世 .

中国专利 :CN113519071A ,2021-10-19

[5]

离子束蚀刻系统 [P].

哈梅特·辛格 ;

亚历克斯·帕特森 .

中国专利 :CN104282521A ,2015-01-14

[6]

离子束蚀刻系统 [P].

哈梅特·辛格 ;

亚历克斯·帕特森 .

中国专利 :CN107293468B ,2017-10-24

[7]

离子束蚀刻设备 [P].

张容浩 ;

张博钦 ;

林立德 ;

林斌彦 .

中国专利 :CN115497802A ,2022-12-20

[8]

利用气体处理及脉冲化的离子束蚀刻 [P].

尹石敏 ;

万志民 ;

黄朔罡 ;

李惟一 ;

高里·钱纳·卡玛蒂 .

中国专利 :CN113383435A ,2021-09-10

[9]

离子束蚀刻方法和离子束蚀刻设备 [P].

神谷保志 ;

赤坂洋 ;

坂本清尚 .

中国专利 :CN107004591B ,2017-08-01

[10]

离子束蚀刻方法和离子束蚀刻装置 [P].

堀田哲广 ;

久保田尚树 .

中国专利 :CN1896315A ,2007-01-17

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