一种有序介孔氧化硅单片材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310108844.X

申请日：

2003-11-25

公开(公告)号：

CN1274593C

公开(公告)日：

2004-11-10

发明(设计)人：

杨海峰施奇惠屠波赵东元

申请人：

申请人地址：

200433上海市邯郸路220号

IPC主分类号：

C01B3312

IPC分类号：

C01B3314

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司

代理人：

陆飞;盛志范

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-11-10	公开	公开
2006-09-13	授权	授权
2011-02-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101035923139 IPC(主分类):C01B 33/12 专利号:ZL200310108844X 申请日:20031125 授权公告日:20060913 终止日期:20091225
2005-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

纳米零价铁/有序介孔氧化硅复合材料的制备方法 [P].

李健生 ;

王连军 ;

李慧君 ;

顾娟 ;

申战辉 ;

孙秀云 ;

韩卫清 ;

刘晓东 .

中国专利 :CN101786598A ,2010-07-28

[2]

一种有序介孔氧化硅-碳复合材料的制备方法 [P].

何丹农 ;

陈俊琛 ;

金彩虹 .

中国专利 :CN104528740B ,2015-04-22

[3]

一种有序介孔氧化硅及其快速制备方法 [P].

李健生 ;

王连军 ;

郝艳霞 ;

苗小郁 ;

孙秀云 ;

刘晓东 .

中国专利 :CN101081699B ,2007-12-05

[4]

一种有序双介孔氧化硅材料 [P].

王彤文 ;

陈亚萍 ;

刘玲 .

中国专利 :CN101177271A ,2008-05-14

[5]

一种介孔氧化硅材料的制备方法及制成的介孔氧化硅材料 [P].

孙泽 ;

高军凯 ;

李焰旺 ;

陈妍 ;

雷浩 ;

高书峰 .

中国专利 :CN107128929A ,2017-09-05

[6]

一种介孔氧化硅薄膜材料的制备方法 [P].

刘玉荣 .

中国专利 :CN103121856A ,2013-05-29

[7]

一种制备有序介孔氧化铟锡材料的方法 [P].

孙晓红 ;

季惠明 ;

李晓雷 .

中国专利 :CN102795662A ,2012-11-28

[8]

一种光学透明的有序介孔氧化硅单块的制备方法 [P].

雷家珩 ;

刘丹 ;

郭丽萍 ;

赵俊 ;

巫辉 .

中国专利 :CN1283551C ,2005-08-17

[9]

杂多酸/有序介孔氧化硅催化剂的制备方法 [P].

雷家珩 ;

颜学敏 ;

郭丽萍 ;

刘丹 ;

童辉 .

中国专利 :CN100446857C ,2007-04-18

[10]

氧化硅介孔材料的制备方法 [P].

车顺爱 ;

高传博 ;

宫润欢 .

中国专利 :CN101531370B ,2009-09-16

← 1 2 3 4 5 →