玻璃基片表面自组装聚电解质－稀土纳米薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510112206.4

申请日：

2005-12-29

公开(公告)号：

CN100366562C

公开(公告)日：

2006-07-26

发明(设计)人：

程先华顾勤林白涛蒋喆

申请人：

申请人地址：

200240上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

C03C1700

IPC分类号：

C03C1734

代理机构：

上海交达专利事务所

代理人：

毛翠莹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-07-26	公开	公开
2012-03-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101197730236 IPC(主分类):C03C 17/00 专利号:ZL2005101122064 申请日:20051229 授权公告日:20080206 终止日期:20101229
2008-02-06	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶硅片表面自组装聚电解质－稀土纳米薄膜的制备方法 [P].

程先华 ;

顾勤林 ;

白涛 ;

蒋喆 .

中国专利 :CN1807225A ,2006-07-26

[2]

玻璃基片表面氨基硅烷－稀土纳米薄膜的制备方法 [P].

程先华 ;

顾勤林 ;

白涛 ;

蒋喆 .

中国专利 :CN1830858A ,2006-09-13

[3]

玻璃基片表面制备巯基硅烷－稀土纳米复合薄膜的方法 [P].

程先华 ;

白涛 ;

吴炬 ;

上官倩芡 .

中国专利 :CN1654393A ,2005-08-17

[4]

玻璃基片表面自组装稀土纳米膜的制备方法 [P].

程先华 ;

上官倩芡 ;

白涛 ;

吴炬 .

中国专利 :CN1544372A ,2004-11-10

[5]

单晶硅基片表面自组装稀土纳米膜的制备方法 [P].

程先华 ;

吴炬 ;

白涛 ;

上官倩芡 .

中国专利 :CN1544690A ,2004-11-10

[6]

玻璃基片表面磷酸基硅烷－稀土纳米薄膜的制备方法 [P].

程先华 ;

顾勤林 ;

白涛 ;

蒋喆 .

中国专利 :CN1830857A ,2006-09-13

[7]

玻璃基片表面自组装硅烷稀土复合纳米膜的制备方法 [P].

程先华 ;

蒋喆 .

中国专利 :CN1887759A ,2007-01-03

[8]

玻璃基片表面制备磺酸基硅烷－稀土纳米复合薄膜的方法 [P].

程先华 ;

白涛 ;

吴炬 ;

上官倩芡 .

中国专利 :CN1263697C ,2005-08-17

[9]

制备聚电解质的方法 [P].

稻垣靖史 ;

黑宫美幸 ;

野口勉 ;

渡边春夫 .

中国专利 :CN1178221A ,1998-04-08

[10]

制备聚电解质的方法 [P].

稻垣靖史 ;

野口勉 ;

渡边春夫 ;

黑宫美幸 .

中国专利 :CN1249099C ,2004-11-03

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