光辅助多孔硅电化学腐蚀槽

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210110252.0

申请日：

2012-04-13

公开(公告)号：

CN102618914A

公开(公告)日：

2012-08-01

发明(设计)人：

闻永祥刘琛季峰江为团

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市杭州（下沙）经济技术开发区东区10号路308号

IPC主分类号：

C25F312

IPC分类号：

C25F314 C25F700

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101329748480 IPC(主分类):C25F 3/12 专利申请号:2012101102520 申请日:20120413
2012-08-01	公开	公开
2022-04-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C25F 3/12 申请日:20120413 授权公告日:20150708 终止日期:20210413
2015-07-08	授权	授权

共 50 条

[1]

光辅助多孔硅电化学腐蚀槽 [P].

闻永祥 ;

刘琛 ;

季峰 ;

江为团 .

中国专利 :CN202543375U ,2012-11-21

[2]

图形化电化学腐蚀制备多孔硅方法 [P].

胡志宇 ;

吴义桂 ;

林忠劲 ;

龙啸 ;

田遵义 ;

韩超 ;

张海明 .

中国专利 :CN104562171A ,2015-04-29

[3]

n型硅光辅助电化学腐蚀装置 [P].

王国政 ;

李野 ;

端木庆铎 .

中国专利 :CN101285209A ,2008-10-15

[4]

电化学腐蚀设备和电化学腐蚀的方法 [P].

王诗男 .

中国专利 :CN118566110A ,2024-08-30

[5]

圆形硅杯的电化学腐蚀 [P].

张声良 ;

刘恩科 ;

周宗闽 .

中国专利 :CN87103891A ,1988-03-30

[6]

应力电化学腐蚀装置 [P].

蒲家飞 ;

汪洪峰 ;

王兴蓉 ;

姜迪 ;

宋娓娓 ;

刘胜荣 ;

葛小乐 ;

董旗 ;

曹守臻 .

中国专利 :CN115112555A ,2022-09-27

[7]

一种制备纳米多孔硅的电化学腐蚀系统 [P].

薛艳 ;

刘兰 ;

任小明 ;

张晶鑫 ;

张蕊 ;

解瑞珍 ;

平川 ;

白颖伟 .

中国专利 :CN204138813U ,2015-02-04

[8]

光辅助电化学腐蚀方法加工N型硅微通道阵列用腐蚀液 [P].

王国政 ;

付申成 ;

端木庆铎 .

中国专利 :CN101792106A ,2010-08-04

[9]

磁场防治电化学腐蚀 [P].

耿子祺 .

中国专利 :CN101519781A ,2009-09-02

[10]

硅基三维结构磁场辅助电化学腐蚀的方法 [P].

周建 ;

刘桂珍 ;

王琳 .

中国专利 :CN101866842B ,2010-10-20

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