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一种制备高纯镓的电解装置
被引:0
申请号
:
CN202123341612.1
申请日
:
2021-12-27
公开(公告)号
:
CN216639668U
公开(公告)日
:
2022-05-31
发明(设计)人
:
高远
刘志强
曹洪杨
郭秋松
陶进长
朱薇
申请人
:
申请人地址
:
510651 广东省广州市天河区长兴路363号
IPC主分类号
:
C25C334
IPC分类号
:
C25C702
C25C700
代理机构
:
广州科粤专利商标代理有限公司 44001
代理人
:
周友元;莫瑶江
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-05-31
授权
授权
共 50 条
[1]
一种高纯镓的电解装置
[P].
易德福
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易德福
;
守建川
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守建川
;
陈佳丽
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陈佳丽
.
中国专利
:CN207210550U
,2018-04-10
[2]
一种高纯镓的电解装置及方法
[P].
易德福
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易德福
;
守建川
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守建川
;
陈佳丽
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陈佳丽
.
中国专利
:CN107338455A
,2017-11-10
[3]
一种高纯镓的电解装置
[P].
董建雄
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董建雄
;
许红申
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许红申
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茆彬
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茆彬
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潘首道
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潘首道
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赵亚伟
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赵亚伟
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秦曾言
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秦曾言
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刘钢湘
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刘钢湘
;
胡勃
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胡勃
;
孟晓玉
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孟晓玉
.
中国专利
:CN209702874U
,2019-11-29
[4]
电解提纯镓的方法、高纯镓及电解装置
[P].
高远
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高远
;
刘志强
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刘志强
;
曹洪杨
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曹洪杨
;
段丽娟
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段丽娟
;
朱薇
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朱薇
;
王东兴
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王东兴
.
中国专利
:CN111394751A
,2020-07-10
[5]
一种高纯锡电解装置
[P].
请求不公布姓名
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机构:
浙江能鹏半导体材料有限责任公司
浙江能鹏半导体材料有限责任公司
请求不公布姓名
;
请求不公布姓名
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机构:
浙江能鹏半导体材料有限责任公司
浙江能鹏半导体材料有限责任公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN223548120U
,2025-11-14
[6]
高纯镓的制备方法
[P].
朱刘
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朱刘
;
朱世明
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朱世明
.
中国专利
:CN103160856A
,2013-06-19
[7]
一种高纯铟电解装置及其电解方法
[P].
贾元伟
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贾元伟
;
彭巨擘
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彭巨擘
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伍美珍
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伍美珍
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陈丽诗
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陈丽诗
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张家涛
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张家涛
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张启旺
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张启旺
;
解立群
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解立群
;
陈光云
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陈光云
;
周京明
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周京明
.
中国专利
:CN114561670A
,2022-05-31
[8]
一种工业生产5N高纯银的电解装置
[P].
钟美娟
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钟美娟
;
林烽先
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林烽先
;
钟茂礼
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钟茂礼
;
丁强
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丁强
;
罗鹏荷
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罗鹏荷
.
中国专利
:CN214782190U
,2021-11-19
[9]
一种制备5N以上高纯银的电解装置
[P].
姚丽佳
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机构:
昆明冶金研究院有限公司
昆明冶金研究院有限公司
姚丽佳
;
李恒
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昆明冶金研究院有限公司
昆明冶金研究院有限公司
李恒
;
孙彦华
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昆明冶金研究院有限公司
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孙彦华
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赵庆虚
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昆明冶金研究院有限公司
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赵庆虚
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岳有成
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陈越
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昆明冶金研究院有限公司
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陈越
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包崇军
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昆明冶金研究院有限公司
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包崇军
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周娴
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昆明冶金研究院有限公司
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周娴
;
陈劲戈
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昆明冶金研究院有限公司
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陈劲戈
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冯少棠
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昆明冶金研究院有限公司
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冯少棠
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梁智
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梁智
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闫森
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闫森
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刁微之
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刁微之
.
中国专利
:CN221052013U
,2024-05-31
[10]
一种钯电解装置
[P].
郭振中
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郭振中
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赵福昶
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赵福昶
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中国专利
:CN206768239U
,2017-12-19
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