一种自组装钒修饰的NiSe/Ni3Se2自支撑电极及合成方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011160489.0

申请日：

2020-10-27

公开(公告)号：

CN112301374A

公开(公告)日：

2021-02-02

发明(设计)人：

曹丽云韩瑞雪何丹阳冯亮亮黄剑锋黄青青

申请人：

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央大学园区

IPC主分类号：

C25B11031

IPC分类号：

C25B11091 C25B11052 C25B104

代理机构：

西安众和至成知识产权代理事务所(普通合伙) 61249

代理人：

艾慧康

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C25B 11/031 申请公布日:20210202
2021-02-02	公开	公开
2021-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25B 11/031 申请日:20201027

共 50 条

[1]

一种3D自组装花球状钒修饰的Ni3S2的合成方法 [P].

曹丽云 ;

杨丹 ;

冯亮亮 ;

黄剑锋 ;

刘倩倩 ;

徐瑞 .

中国专利 :CN108479808A ,2018-09-04

[2]

一种钒修饰的Cu2S自支撑电极材料及其合成方法 [P].

曹丽云 ;

杨丹 ;

冯亮亮 ;

黄剑锋 ;

张宁 ;

杜盈盈 .

中国专利 :CN108315759A ,2018-07-24

[3]

一种棒状自组装成花球状的钒修饰的Ni3S2电催化剂的合成方法 [P].

曹丽云 ;

杨丹 ;

冯亮亮 ;

黄剑锋 ;

刘倩倩 ;

张宁 ;

何丹阳 .

中国专利 :CN108325539A ,2018-07-27

[4]

一种自组装Ni3S2纳米片的合成方法 [P].

冯亮亮 ;

何丹阳 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 .

中国专利 :CN108423717B ,2018-08-21

[5]

一种基于泡沫镍的Ni3Se2纳米材料的制备方法及其应用 [P].

蒋青松 ;

胡光 ;

张俊 ;

林毅 .

中国专利 :CN106024395B ,2016-10-12

[6]

NiSe/Ni3S2复合物、制备方法及其制得的自支撑电极 [P].

孙剑辉 ;

铁璐娜 ;

刘艳美 ;

申淑洁 ;

禹崇菲 .

中国专利 :CN111560621A ,2020-08-21

[7]

一种用于超级电容器的NiSe‑Ni3Se2多孔纳米球材料及其制备方法 [P].

吕建国 ;

杨杰 .

中国专利 :CN106158420A ,2016-11-23

[8]

一种自组装VSe2纳米片的合成方法 [P].

曹丽云 ;

何丹阳 ;

冯亮亮 ;

黄剑锋 ;

吴建鹏 ;

杨丹 .

中国专利 :CN109279584A ,2019-01-29

[9]

一种钒掺杂的硒化镍异质结自支撑电极及其制备方法和应用 [P].

曹丽云 ;

何丹阳 ;

冯亮亮 ;

黄剑锋 ;

吴建鹏 ;

李晓艺 .

中国专利 :CN111996543A ,2020-11-27

[10]

一种钒修饰的Ni3S2纳米棒阵列电极材料及其制备方法 [P].

曹丽云 ;

杨丹 ;

冯亮亮 ;

黄剑锋 ;

刘倩倩 ;

王琳琳 .

中国专利 :CN109261168A ,2019-01-25

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