一种由硝酸铜制备氧化亚铜光电薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410261268.0

申请日：

2014-06-13

公开(公告)号：

CN105088301A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

刘科高刘宏石璐丹徐勇石磊

申请人：

申请人地址：

250101 山东省济南市历城区凤鸣路山东建筑大学

IPC主分类号：

C25D908

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-25	公开	公开
2015-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638506369 IPC(主分类):C25D 9/08 专利申请号:2014102612680 申请日:20140613
2017-05-03	授权	授权
2019-05-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C25D 9/08 申请日:20140613 授权公告日:20170503 终止日期:20180613

共 50 条

[1]

一种由硫酸铜制备氧化亚铜光电薄膜的方法 [P].

刘科高 ;

刘宏 ;

石璐丹 ;

徐勇 ;

石磊 .

中国专利 :CN105118888B ,2015-12-02

[2]

一种由氯化铜制备氧化亚铜光电薄膜的方法 [P].

刘科高 ;

石璐丹 ;

刘宏 ;

徐勇 ;

石磊 .

中国专利 :CN105244408B ,2016-01-13

[3]

一种由硝酸铜制备铜铟硫光电薄膜的方法 [P].

刘科高 ;

刘宏 ;

徐勇 ;

于刘洋 ;

石磊 .

中国专利 :CN105870001A ,2016-08-17

[4]

一种由硝酸铜制备铜镓硫光电薄膜的方法 [P].

刘科高 ;

刘宏 ;

徐勇 ;

于刘洋 ;

石磊 .

中国专利 :CN106082691A ,2016-11-09

[5]

氧化亚铜制备方法 [P].

毛铭华 ;

涂桃枝 ;

杜士奎 .

中国专利 :CN1032151A ,1989-04-05

[6]

氧化亚铜薄膜的制备方法 [P].

熊良斌 ;

余华清 ;

肖永军 ;

王波云 ;

方绍桦 ;

李双明 .

中国专利 :CN107324374A ,2017-11-07

[7]

一种氧化铁/氧化亚铜光电薄膜的制备方法 [P].

张娜 ;

徐晨 ;

王航 ;

刘志福 ;

房永征 ;

刘玉峰 .

中国专利 :CN111545204A ,2020-08-18

[8]

氧化亚铜的制备方法 [P].

沈祖达 .

中国专利 :CN102190327A ,2011-09-21

[9]

利用氮掺杂氧化亚铜制备纳米氧化亚铜的合成方法 [P].

傅敏 ;

刘静 ;

王瑞琪 ;

董帆 ;

路媛媛 ;

卢鹏 ;

刘铎 .

中国专利 :CN102275975A ,2011-12-14

[10]

一种高纯度氧化亚铜制备方法 [P].

陈圆圆 .

中国专利 :CN106379927A ,2017-02-08

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